Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET 2N-CH 20V 0.8A (SSM6N56FE,LM)
Part Number: SSM6N56FE,LM
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
- Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate, 1.5V Drive
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 800mA
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235 mOhm @ 800mA, 4.5V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1V @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 1nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 55pF @ 10V
- Мощность: 150mW
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: SOT-563, SOT-666
- Исполнение корпуса: ES6
Цена по запросу