Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET 2N-CH 20V 0.8A ES6 (SSM6N42FE(TE85L,F))
Part Number: SSM6N42FE(TE85L,F)
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: -
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
- Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 800mA
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 500mA, 4.5V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1V @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 90pF @ 10V
- Мощность: 150mW
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: SOT-563, SOT-666
- Исполнение корпуса: ES6 (1.6x1.6)
Цена по запросу