Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 250MA ES6 (SSM6N35AFE,LF)
Part Number: SSM6N35AFE,LF
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
- Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate, 1.2V Drive
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 150mA, 4.5V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1V @ 100µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 36pF @ 10V
- Мощность: 250mW
- Рабочая температура: 150°C
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: SOT-563, SOT-666
- Исполнение корпуса: ES6
Цена по запросу