MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC

MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC (CSD88539NDT)

Part Number: CSD88539NDT

Documents / Media: datasheets CSD88539NDT

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: NexFET™
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 60V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 15A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3.6V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 9.4nC @ 10V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 741pF @ 30V
  • Мощность: 2.1W
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Корпус: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Исполнение корпуса: 8-SO

Цена по запросу