MOSFET N/P-CH 20V 1206A

MOSFET N/P-CH 20V 1206A (NTHC5513T1G)

Part Number: NTHC5513T1G

Documents / Media: datasheets NTHC5513T1G

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: -
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: N and P-Channel
  • Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.2A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1.2V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 180pF @ 10V
  • Мощность: 1.1W
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Корпус: 8-SMD, Flat Lead
  • Исполнение корпуса: ChipFET™

23 р.