MOSFET 2P-CH 12V 4A TSMT8

MOSFET 2P-CH 12V 4A TSMT8 (QS8J2TR)

Part Number: QS8J2TR

Documents / Media: datasheets QS8J2TR

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR)
  • Серия: -
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: 2 P-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate, 1.5V Drive
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 12V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 4A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 4A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1V @ 1mA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1940pF @ 6V
  • Мощность: 550mW
  • Рабочая температура: 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Корпус: 8-SMD, Flat Lead
  • Исполнение корпуса: TSMT8

Цена по запросу