ROHM Semiconductor
MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE (BSM120D12P2C005)
Part Number: BSM120D12P2C005
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Bulk
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Half Bridge)
- Особенности полевого транзистора: Standard
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 1200V (1.2kV)
- Ток стока (Id) @ 25°C: 120A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.7V @ 22mA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: -
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 14000pF @ 10V
- Мощность: 780W
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: -
- Корпус: Module
- Исполнение корпуса: Module
Цена по запросу