MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP

MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP (RJM0603JSC-00#13)

Part Number: RJM0603JSC-00#13

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: -
  • Серия: Automotive, AEC-Q101
  • Состояние детали: Obsolete
  • Тип полевого транзистора: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
  • Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate, 4.5V Drive
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 60V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 20A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 10A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.5V @ 1mA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 43nC @ 10V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 2600pF @ 10V
  • Мощность: 54W
  • Рабочая температура: 175°C
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Корпус: 20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad
  • Исполнение корпуса: 20-HSOP

Цена по запросу