MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC

MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC (QJD1210SA1)

Part Number: QJD1210SA1

Documents / Media: datasheets QJD1210SA1

Технические характеристики:

  • Упаковка: Bulk
  • Серия: -
  • Состояние детали: Obsolete
  • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора: Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 1200V (1.2kV)
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 100A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 100A, 15V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1.6V @ 34mA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 330nC @ 15V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 8200pF @ 10V
  • Мощность: 520W
  • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Chassis Mount
  • Корпус: Module
  • Исполнение корпуса: Module

Цена по запросу