MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC

MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC (PHN210,118)

Part Number: PHN210,118

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR)
  • Серия: TrenchMOS™
  • Состояние детали: Obsolete
  • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.8V @ 1mA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 6nC @ 10V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 250pF @ 20V
  • Мощность: 2W
  • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Корпус: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Исполнение корпуса: 8-SO

Цена по запросу