MOSFET 2N-CH 20V 9.9A 8TSSOP

MOSFET 2N-CH 20V 9.9A 8TSSOP (PMWD16UN,518)

Part Number: PMWD16UN,518

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR)
  • Серия: TrenchMOS™
  • Состояние детали: Obsolete
  • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 9.9A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 3.5A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 700mV @ 1mA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 23.6nC @ 4.5V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1366pF @ 16V
  • Мощность: 3.1W
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Корпус: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • Исполнение корпуса: 8-TSSOP

Цена по запросу