MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666

MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666 (PMDT670UPE,115)

Part Number: PMDT670UPE,115

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: 2 P-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 550mA
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 400mA, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1.3V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 1.14nC @ 4.5V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 87pF @ 10V
  • Мощность: 330mW
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Корпус: SOT-563, SOT-666
  • Исполнение корпуса: SOT-666

10 р.