MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON

MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON (PMDPB30XN,115)

Part Number: PMDPB30XN,115

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: -
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 4A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 3A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 900mV @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 21.7nC @ 4.5V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 660pF @ 10V
  • Мощность: 490mW
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Корпус: 6-UDFN Exposed Pad
  • Исполнение корпуса: DFN2020-6

1 р.