MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP

MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP (PMGD290XN,115)

Part Number: PMGD290XN,115

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: TrenchMOS™
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 860mA
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 200mA, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1.5V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 0.72nC @ 4.5V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 34pF @ 20V
  • Мощность: 410mW
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Корпус: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Исполнение корпуса: 6-TSSOP

1 р.