MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8DIP

MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8DIP (LN60A01EP-LF)

Part Number: LN60A01EP-LF

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tube
  • Серия: -
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: 3 N-Channel, Common Gate
  • Особенности полевого транзистора: Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 600V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 80mA
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 Ohm @ 10mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1.2V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: -
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: -
  • Мощность: 1.3W
  • Рабочая температура: -20°C ~ 125°C (TJ)
  • Вид монтажа: Through Hole
  • Корпус: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
  • Исполнение корпуса: 8-PDIP

Цена по запросу