Microsemi
POWER MODULE - SIC (APTSM120AM14CD3AG)
Part Number: APTSM120AM14CD3AG
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Bulk
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual), Schottky
- Особенности полевого транзистора: Silicon Carbide (SiC)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 1200V (1.2kV)
- Ток стока (Id) @ 25°C: 337A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 180A, 20V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3V @ 9mA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 1224nC @ 20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 23000pF @ 1000V
- Мощность: 2140W
- Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Корпус: Module
- Исполнение корпуса: Module
Цена по запросу