Microsemi
MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3 (APTC60HM70BT3G)
Part Number: APTC60HM70BT3G
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tray
- Серия: CoolMOS™
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: 4 N-Channel (H-Bridge)
- Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 600V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 39A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3.9V @ 2.7mA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 259nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 700pF @ 25V
- Мощность: 250W
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Корпус: SP3
- Исполнение корпуса: SP3
Цена по запросу