Microsemi
MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4 (APTM100H45STG)
Part Number: APTM100H45STG
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Bulk
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: 4 N-Channel (H-Bridge)
- Особенности полевого транзистора: Standard
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 1000V (1kV)
- Ток стока (Id) @ 25°C: 18A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540 mOhm @ 9A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 5V @ 2.5mA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 154nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 4350pF @ 25V
- Мощность: 357W
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Корпус: SP4
- Исполнение корпуса: SP4
Цена по запросу