Microsemi
MOSFET 2N-CH 1200V 250A D3 (APTMC120AM08CD3AG)
Part Number: APTMC120AM08CD3AG
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Bulk
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Half Bridge)
- Особенности полевого транзистора: Standard
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 1200V (1.2kV)
- Ток стока (Id) @ 25°C: 250A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 200A, 20V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.2V @ 10mA (Typ)
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 490nC @ 20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 9500pF @ 1000V
- Мощность: 1100W
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Корпус: D-3 Module
- Исполнение корпуса: D3
Цена по запросу