MOSFET 2 N-CH 1200V 337A MODULE (APTSM120AM09CD3AG)

Part Number: APTSM120AM09CD3AG


Documents / Media: datasheets отсутствует


Технические характеристики:

  • Упаковка: Bulk
  • Серия: -
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора: Silicon Carbide (SiC)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 1200V (1.2kV)
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 337A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 180A, 20V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3V @ 9mA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 1224nC @ 20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 23000pF @ 1000V
  • Мощность: -
  • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа: Chassis Mount
  • Корпус: Module
  • Исполнение корпуса: Module

Цена по запросу