MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC (IRF7389TR)

Part Number: IRF7389TR


Documents / Media: datasheets IRF7389TR


Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR)
  • Серия: HEXFET®
  • Состояние детали: Obsolete
  • Тип полевого транзистора: N and P-Channel
  • Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 33nC @ 10V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 650pF @ 25V
  • Мощность: 2.5W
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Корпус: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Исполнение корпуса: 8-SO

Цена по запросу