MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO

MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO (IRF9389TRPBF)

Part Number: IRF9389TRPBF

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: HEXFET®
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: N and P-Channel
  • Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 6.8A, 4.6A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 6.8A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.3V @ 10µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 14nC @ 10V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 398pF @ 15V
  • Мощность: 2W
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Корпус: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Исполнение корпуса: 8-SO

16 р.