IR (Infineon Technologies)
MOSFET N/P-CH 25V 8-SOIC (IRF7105TRPBF)
Part Number: IRF7105TRPBF
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: HEXFET®
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N and P-Channel
- Особенности полевого транзистора: Standard
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 25V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 27nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 330pF @ 15V
- Мощность: 2W
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Исполнение корпуса: 8-SO
19 р.