IR (Infineon Technologies)
MOSFET N/P-CH 20V SOT363 (BSD235CH6327XTSA1)
Part Number: BSD235CH6327XTSA1
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: OptiMOS™
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N and P-Channel
- Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 950mA, 530mA
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 950mA, 4.5V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1.2V @ 1.6µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 47pF @ 10V
- Мощность: 500mW
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
- Исполнение корпуса: PG-SOT363-6
7 р.