MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON

MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON (BSZ15DC02KDHXTMA1)

Part Number: BSZ15DC02KDHXTMA1

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: N and P-Channel Complementary
  • Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate, 2.5V Drive
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 5.1A, 3.2A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 5.1A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1.4V @ 110µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 419pF @ 10V
  • Мощность: 2.5W
  • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Корпус: 8-PowerTDFN
  • Исполнение корпуса: PG-TSDSON-8-FL

46 р.