MOSFET N/P-CH 12V 6.3A 8-SOIC (IRF7338TRPBF)

Part Number: IRF7338TRPBF


Documents / Media: datasheets отсутствует


Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR)
  • Серия: HEXFET®
  • Состояние детали: Obsolete
  • Тип полевого транзистора: N and P-Channel
  • Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 12V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 6.3A, 3A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 6A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1.5V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 640pF @ 9V
  • Мощность: 2W
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Корпус: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Исполнение корпуса: 8-SO

Цена по запросу