IR (Infineon Technologies)
MOSFET N/P-CH 12V 6.3A 8-SOIC (IRF7338TRPBF)
Part Number: IRF7338TRPBF
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: HEXFET®
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: N and P-Channel
- Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 12V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 6.3A, 3A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 6A, 4.5V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 640pF @ 9V
- Мощность: 2W
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Исполнение корпуса: 8-SO
Цена по запросу