IR (Infineon Technologies)
MOSFET 2P-CH 20V 4.3A MICRO8 (IRF7555TR)
Part Number: IRF7555TR
Documents / Media: datasheets IRF7555TR
Технические характеристики:
- Упаковка: Cut Tape (CT)
- Серия: HEXFET®
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: 2 P-Channel (Dual)
- Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 4.3A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4.3A, 4.5V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1.2V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 15nC @ 5V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1066pF @ 10V
- Мощность: 1.25W
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
- Исполнение корпуса: Micro8™
Цена по запросу