MOSFET 2N-CH 8TDSON

MOSFET 2N-CH 8TDSON (IPG20N10S4L35ATMA1)

Part Number: IPG20N10S4L35ATMA1

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 100V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 20A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 17A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.1V @ 16µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 17.4nC @ 10V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1105pF @ 25V
  • Мощность: 43W
  • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Корпус: 8-PowerVDFN
  • Исполнение корпуса: PG-TDSON-8-4

51 р.