MOSFET 2N-CH 8TDSON

MOSFET 2N-CH 8TDSON (IPG20N06S2L35AATMA1)

Part Number: IPG20N06S2L35AATMA1

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 55V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 15A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2V @ 27µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 23nC @ 10V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 790pF @ 25V
  • Мощность: 65W
  • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Корпус: 8-PowerVDFN
  • Исполнение корпуса: PG-TDSON-8-10

Цена по запросу