MOSFET 2N-CH 8TDSON

MOSFET 2N-CH 8TDSON (IPG16N10S4L61AATMA1)

Part Number: IPG16N10S4L61AATMA1

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR)
  • Серия: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 100V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 16A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61 mOhm @ 16A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.1V @ 90µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 11nC @ 10V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 845pF @ 25V
  • Мощность: 29W
  • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Корпус: 8-PowerVDFN
  • Исполнение корпуса: PG-TDSON-8-10

Цена по запросу