IR (Infineon Technologies)
MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC (AUIRF7341Q)
Part Number: AUIRF7341Q
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube Alternate Packaging
- Серия: HEXFET®
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
- Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 55V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 5.1A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 5.1A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 44nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 780pF @ 25V
- Мощность: 2.4W
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Исполнение корпуса: 8-SO
Цена по запросу