MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC

MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC (IRF8313TRPBF)

Part Number: IRF8313TRPBF

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: HEXFET®
  • Состояние детали: Not For New Designs
  • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 9.7A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5 mOhm @ 9.7A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.35V @ 25µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 760pF @ 15V
  • Мощность: 2W
  • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Корпус: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Исполнение корпуса: 8-SO

22 р.