IR (Infineon Technologies)
MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC (IRF8313PBF)
Part Number: IRF8313PBF
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube Alternate Packaging
- Серия: -
- Состояние детали: Discontinued at Digi-Key
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
- Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 9.7A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5 mOhm @ 9.7A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.35V @ 25µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 90nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 760pF @ 15V
- Мощность: 2W
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Исполнение корпуса: 8-SO
Цена по запросу