IR (Infineon Technologies)
MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC (IRF8513PBF)
Part Number: IRF8513PBF
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: -
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
- Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 8A, 11A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5 mOhm @ 8A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.35V @ 25µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 766pF @ 15V
- Мощность: 1.5W, 2.4W
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Исполнение корпуса: 8-SO
Цена по запросу