MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SOIC

MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SOIC (IRF7901D1TR)

Part Number: IRF7901D1TR

Documents / Media: datasheets IRF7901D1TR

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR)
  • Серия: FETKY™
  • Состояние детали: Obsolete
  • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 6.2A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 5A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 10.5nC @ 5V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 780pF @ 16V
  • Мощность: 2W
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Корпус: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Исполнение корпуса: 8-SO

Цена по запросу