MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN

MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN (IRLHS6376TR2PBF)

Part Number: IRLHS6376TR2PBF

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Cut Tape (CT) Alternate Packaging
  • Серия: HEXFET®
  • Состояние детали: Obsolete
  • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 3.6A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63 mOhm @ 3.4A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1.1V @ 10µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 270pF @ 25V
  • Мощность: 1.5W
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Корпус: 6-VDFN Exposed Pad
  • Исполнение корпуса: 6-PQFN (2x2)

Цена по запросу