MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN

MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN (IRFH7911TRPBF)

Part Number: IRFH7911TRPBF

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR)
  • Серия: HEXFET®
  • Состояние детали: Not For New Designs
  • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 13A, 28A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6 mOhm @ 12A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.35V @ 25µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1060pF @ 15V
  • Мощность: 2.4W, 3.4W
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Корпус: 18-PowerVQFN
  • Исполнение корпуса: PQFN (5x6)

111 р.