MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN

MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN (IRFHM8363TRPBF)

Part Number: IRFHM8363TRPBF

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR)
  • Серия: HEXFET®
  • Состояние детали: Not For New Designs
  • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 11A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9 mOhm @ 10A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.35V @ 25µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1165pF @ 10V
  • Мощность: 2.7W
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Корпус: 8-PowerVDFN
  • Исполнение корпуса: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33

35 р.