IR (Infineon Technologies)
MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON (BSC072N03LDGATMA1)
Part Number: BSC072N03LDGATMA1
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: OptiMOS™
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
- Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 11.5A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2 mOhm @ 20A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.2V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 41nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 3500pF @ 15V
- Мощность: 57W
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 8-PowerVDFN
- Исполнение корпуса: PG-TDSON-8 Dual
Цена по запросу