MOSFET 2N-CH 25V 25A 24PQFN (IRFH4257DTRPBF)

Part Number: IRFH4257DTRPBF


Documents / Media: datasheets отсутствует


Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: HEXFET®
  • Состояние детали: Obsolete
  • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 25V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 25A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 25A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.1V @ 35µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1321pF @ 13V
  • Мощность: 25W, 28W
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Корпус: 8-PowerVDFN
  • Исполнение корпуса: Dual PQFN (5x4)

Цена по запросу