IR (Infineon Technologies)
MOSFET 2N-CH 25V 25A 24PQFN (IRFH4257DTRPBF)
Part Number: IRFH4257DTRPBF
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: HEXFET®
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
- Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 25V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 25A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 25A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.1V @ 35µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1321pF @ 13V
- Мощность: 25W, 28W
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 8-PowerVDFN
- Исполнение корпуса: Dual PQFN (5x4)
Цена по запросу