IR (Infineon Technologies)
MOSFET 2N-CH 25V 19A/33A 8TISON (BSG0813NDIATMA1)
Part Number: BSG0813NDIATMA1
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
- Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate, 4.5V Drive
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 25V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 19A, 33A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 20A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 8.4nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1100pF @ 12V
- Мощность: 2.5W
- Рабочая температура: -55°C ~ 155°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 8-PowerTDFN
- Исполнение корпуса: PG-TISON-8
Цена по запросу