MOSFET 2N-CH 25V 19A/33A 8TISON (BSG0813NDIATMA1)

Part Number: BSG0813NDIATMA1


Documents / Media: datasheets отсутствует


Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR)
  • Серия: -
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
  • Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate, 4.5V Drive
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 25V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 19A, 33A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 20A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 8.4nC @ 4.5V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1100pF @ 12V
  • Мощность: 2.5W
  • Рабочая температура: -55°C ~ 155°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Корпус: 8-PowerTDFN
  • Исполнение корпуса: PG-TISON-8

Цена по запросу