IR (Infineon Technologies)
MOSFET 2N-CH 20V 2.3A 6TSOP (BSL806NL6327HTSA1)
Part Number: BSL806NL6327HTSA1
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: OptiMOS™
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
- Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 2.3A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 2.3A, 2.5V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 750mV @ 11µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 1.7nC @ 2.5V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 259pF @ 10V
- Мощность: 500mW
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Исполнение корпуса: PG-TSOP6-6
Цена по запросу