IR (Infineon Technologies)
MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC (IRF9910PBF)
Part Number: IRF9910PBF
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube Alternate Packaging
- Серия: HEXFET®
- Состояние детали: Discontinued at Digi-Key
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
- Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 10A, 12A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4 mOhm @ 10A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.55V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 900pF @ 10V
- Мощность: 2W
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Исполнение корпуса: 8-SO
Цена по запросу