IR (Infineon Technologies)
MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363 (BSD840NH6327XTSA1)
Part Number: BSD840NH6327XTSA1
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: OptiMOS™
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
- Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 880mA
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 880mA, 2.5V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 750mV @ 1.6µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 0.26nC @ 2.5V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 78pF @ 10V
- Мощность: 500mW
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
- Исполнение корпуса: PG-SOT363-6
6 р.