MOSFET 2 N-CH 1200V 100A MODULE (FF11MR12W1M1B11BOMA1)

Part Number: FF11MR12W1M1B11BOMA1


Documents / Media: datasheets отсутствует


Технические характеристики:

  • Упаковка: Tray
  • Серия: CoolSiC™
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора: Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 1200V (1.2kV)
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 100A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 100A, 15V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 5.55V @ 40mA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 250nC @ 15V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 7950pF @ 800V
  • Мощность: 20mW
  • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Chassis Mount
  • Корпус: Module
  • Исполнение корпуса: Module

15177 р.