IR (Infineon Technologies)
MOSFET 2 N-CH 1200V 100A MODULE (FF11MR12W1M1B11BOMA1)
Part Number: FF11MR12W1M1B11BOMA1
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tray
- Серия: CoolSiC™
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
- Особенности полевого транзистора: Standard
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 1200V (1.2kV)
- Ток стока (Id) @ 25°C: 100A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 100A, 15V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 5.55V @ 40mA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 250nC @ 15V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 7950pF @ 800V
- Мощность: 20mW
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Корпус: Module
- Исполнение корпуса: Module
15177 р.