DIFFERENTIATED MOSFETS

DIFFERENTIATED MOSFETS (BSZ0910NDXTMA1)

Part Number: BSZ0910NDXTMA1

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: OptiMOS™
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate, 4.5V Drive
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 25A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 9A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 5.6nC @ 4.5V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 800pF @ 15V
  • Мощность: 1.9W (Ta), 31W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Корпус: 8-PowerVDFN
  • Исполнение корпуса: PG-WISON-8

Цена по запросу