TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID (EPC2100)

Part Number: EPC2100

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: eGaN®
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Half Bridge)
  • Особенности полевого транзистора: GaNFET (Gallium Nitride)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Ta)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
  • Мощность: -
  • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Корпус: Die
  • Исполнение корпуса: Die

Цена по запросу