TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE

TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE (EPC2110ENGRT)

Part Number: EPC2110ENGRT

Documents / Media: datasheets EPC2110ENGRT

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: eGaN®
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual) Common Source
  • Особенности полевого транзистора: GaNFET (Gallium Nitride)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 120V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 3.4A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4A, 5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.5V @ 700µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 0.8nC @ 5V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 80pF @ 60V
  • Мощность: -
  • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Корпус: Die
  • Исполнение корпуса: Die

Цена по запросу