MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE

MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE (EPC2102ENGRT)

Part Number: EPC2102ENGRT

Documents / Media: datasheets EPC2102ENGRT

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: eGaN®
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Half Bridge)
  • Особенности полевого транзистора: GaNFET (Gallium Nitride)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 60V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 23A (Tj)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 20A, 5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.5V @ 7mA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 6.8nC @ 5V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 830pF @ 30V
  • Мощность: -
  • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Корпус: Die
  • Исполнение корпуса: Die

Цена по запросу