MOSFET 2N-CH 20V 4A 8-DFN

MOSFET 2N-CH 20V 4A 8-DFN (AON3816_101)

Part Number: AON3816_101

Documents / Media: datasheets AON3816_101

Технические характеристики:

  • Упаковка: Bulk
  • Серия: -
  • Состояние детали: Obsolete
  • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 4A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1.1V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1100pF @ 10V
  • Мощность: 2.5W
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Корпус: 8-SMD, Flat Lead
  • Исполнение корпуса: 8-DFN (3x3)

Цена по запросу